Λεπτομέρειες:
|
|
Τόπος καταγωγής: | ΑΡΧΙΚΟΣ |
---|---|
Μάρκα: | Original |
Πιστοποίηση: | ISO9001:2015standard |
Αριθμό μοντέλου: | IPG20N06S2L-35 |
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
|
|
Ποσότητα παραγγελίας min: | 10pcs |
Τιμή: | Contact us to win best offer |
Συσκευασία λεπτομέρειες: | Πρότυπα |
Χρόνος παράδοσης: | 1-3week ημέρες |
Όροι πληρωμής: | L/C, T/T, Western Union, PayPal |
Δυνατότητα προσφοράς: | 10000pcs/months |
Λεπτομερής ενημέρωση |
|||
D/c: | Ο νεώτερος | Χρονική ανοχή: | στο απόθεμα |
---|---|---|---|
Στέλνοντας τρόπος: | DHL, EMS, FEDEX | Όρος: | Ολοκαίνουργιος και αρχικός |
Συσκευασία: | Εξέλικτρο/κομμένη ταινία | Βάρος μονάδων: | 97,530 mg |
Υψηλό φως: | IPG20N06S2L-35 τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών,2 τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών καναλιών Ν,Να τοποθετήσει SMT τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος κρυσταλλολυχνιών |
Περιγραφή προϊόντων
IPG20N06S2L-35 MOSFET IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 2 Ν ημιαγωγός καναλιών TCAN1042HGVDRQ1 TJA1027T/20
Νομική αποκήρυξη
Οι πληροφορίες που δίνονται στο παρόν έγγραφο θα θεωρηθούν σε καμία περίπτωση ως εγγύηση των όρων ή των χαρακτηριστικών. Όσον αφορά οποιουσδήποτε παραδείγματα ή υπαινιγμούς που δίνονται εν τω παρόντι, οποιεσδήποτε χαρακτηριστικές τιμές που δηλώνονται εν τω παρόντι ή/και οποιεσδήποτε πληροφορίες σχετικά με την εφαρμογή της συσκευής, οι τεχνολογίες Infineon αποκηρύσσουν με το παρόν έγγραφο οποιων δήποτε και ολικά τις εξουσιοδοτήσεις και τα στοιχεία του παθητικού οποιουδήποτε είδους, που περιλαμβάνει χωρίς περιορισμό, εξουσιοδοτήσεις της μη-παράβασης των δικαιωμάτων πνευματικής ιδιοκτησίας οποιουδήποτε τρίτου.
Πληροφορίες
Για περισσότερες πληροφορίες στην τεχνολογία, οι όροι παράδοσης και οι τιμές, παρακαλώ έρχονται σε επαφή με το κοντινότερο γραφείο τεχνολογιών Infineon (το www.infineon.com).
Προειδοποιήσεις
Λόγω των τεχνικών απαιτήσεων, τα συστατικά μπορούν να περιέχουν τις επικίνδυνες ουσίες. Για τις πληροφορίες για τους τύπους εν λόγω, παρακαλώ ελάτε σε επαφή με το κοντινότερο γραφείο τεχνολογιών Infineon. Τα τμήματα τεχνολογιών Infineon μπορούν να χρησιμοποιηθούν στις συσκευές ή τα συστήματα εντατικής θεραπείας μόνο με τη σαφή γραπτή έγκριση των τεχνολογιών Infineon, εάν μια αποτυχία τέτοιων συστατικών μπορεί εύλογα να αναμένεται για να προκαλέσει την αποτυχία εκείνου του συσκευής ή συστήματος εντατικής θεραπείας ή για να έχει επιπτώσεις στην ασφάλεια ή την αποτελεσματικότητα εκείνου του συσκευής ή συστήματος. Οι συσκευές ή τα συστήματα εντατικής θεραπείας προορίζονται να εμφυτευθούν στο ανθρώπινο σώμα ή να υποστηρίξουν ή/και να διατηρήσουν και να στηρίξουν ή/και να προστατεύσουν τη ανθρώπινη ζωή. Εάν αποτυγχάνουν, είναι λογικό να υποτεθεί ότι η υγεία του χρήστη ή άλλων προσώπων μπορεί να διακυβευθεί
MOSFET | |
Si | |
SMD/SMT | |
Tdson-8 | |
N-Channel | |
2 κανάλι | |
55 Β | |
20 Α | |
35 mOhms | |
- 20 Β, + 20 Β | |
1.6 Β | |
nC 23 | |
- 55 Γ | |
+ 175 Γ | |
65 W | |
Αύξηση | |
AEC-Q101 | |
Εξέλικτρο | |
Ταινία περικοπών | |
Διαμόρφωση: | Διπλός |
Ύψος: | 1,27 χιλ. |
Μήκος: | 5,9 χιλ. |
Τύπος προϊόντων: | MOSFET |
5000 | |
Υποκατηγορία: | MOSFETs |
Τύπος κρυσταλλολυχνιών: | 2 N-Channel |
Πλάτος: | 5,15 χιλ. |
Μέρος # ψευδώνυμα: | IPG2N6S2L35XT SP000613718 IPG20N06S2L35ATMA1 |
Βάρος μονάδων: | 0,003440 oz |
Εισάγετε το μήνυμά σας